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日本(Japan)尼康宣告全新arf浸没式光刻机:精度小于2.1纳米、价格低贱30%

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据悉,尼康这款曝光机采用增强型iAS设计,可用于高精度测量、圆翘曲和畸变校正,重叠精度(MMO)更高,号称不超过2.1纳米。

分辨率小于38纳米,镜头孔径1.35,曝光面积为26x33毫米。

对比当前型号,它的整体生产效率可提高10-15%,创下尼康光刻设备的新高,每小时可生产280片晶圆,停机时间也更短。

尼康还表示,在不牺牲生产效率的前提下,新光刻机可在需要高重叠精度的半导体制造中提供更高的性能,尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造,堪称最佳解决方案。

另据了解,新光刻机的光源技术是20世纪90年代就已经成熟的 i-line ,再加上相关零件、技术的成熟化,价格将比竞品便宜20-30%左右。

不过,目前(Currently)尚不清楚尼康这款光刻机能制造多少纳米的芯片。

日本(Japan)尼康宣布全新ArF浸没式光刻机:精度小于2.1纳米、价格便宜30%

日本(Japan)尼康、佳能与荷兰阿斯麦(ASML)曾经是光刻机三巨头,但因为点错了科技(Technology)树,没有跟上阿斯麦的193纳米浸没式光刻技术,逐渐没落,尤其是在EUV极紫外光刻技术上毫无建树。

为了生存,尼康、佳能基本放弃了对尖端光刻技术的角逐,更专注于难度更低、价格更低的成熟工艺光刻设备。

但他们(They)也并非一无是处,比如佳能研发了纳米压印技术(NIL),无需EUV就能制造5纳米芯片。

日本(Japan)尼康宣布全新ArF浸没式光刻机:精度小于2.1纳米、价格便宜30%

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